ASTM F1810-1997(2002) 择优统计硅片侵蚀或表面缺陷的标准试验方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-04 13:18:56
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforCountingPreferentiallyEtchedorDecoratedSurfaceDefectsinSiliconWafers
【原文标准名称】:择优统计硅片侵蚀或表面缺陷的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1810-1997(2002)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1997
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:defectdensity;dislocation;grainboundary;microscopic;polycrystallineimperfection;preferentialetch;silicon;slip
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethoddescribesthetechniquetocountthedensityofsurfacedefectsinsiliconwafersbymicroscopicanalysis.Note18212;Practicaluseofadefectcountingmeth
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:4P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:择优统计硅片侵蚀或表面缺陷的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1810-1997(2002)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1997
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:defectdensity;dislocation;grainboundary;microscopic;polycrystallineimperfection;preferentialetch;silicon;slip
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thistestmethoddescribesthetechniquetocountthedensityofsurfacedefectsinsiliconwafersbymicroscopicanalysis.Note18212;Practicaluseofadefectcountingmeth
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:4P.;A4
【正文语种】:
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